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苏州锴威特半导体有限公司

行业领域:电子信息
行政区域:苏州市
参赛届数:第六届
获得奖项:二等奖
企业简介:

    公司成立于2015年1月,注册资本553.57万元。专注于智能功率器件与智能功率集成芯片研发、生产和销售。2015年底设立西安研发子公司(西安锴威),2017年初设立无锡研发中心。我们拥有业界领先的技术积累,丰富的市场资源以及雄厚的资金支持。获得2015年第三批张家港创业领军人才重点项目,2017年姑苏创业领军人才重点项目。2017年7月完成A轮融资,引入大唐电信、金城、金茂三家投资基金,合计1500万元。 我们的功率器件产品主要包括:VDMOS、FRMOS、SJMOS、IGBT、SmartMOS和SiC器件;功率集成芯片产品主要包括:功率驱动芯片和智能电源管理芯片。我们的核心团队在功率半导体领域累积了10 年以上的产品开发经验,多个产品国内唯一,技术国内领先,年研发投入超600万元。目前已申请专利23项、授权发明专利3项、实用新型专利8项,集成电路布图保护6项,高新技术产品4项。2017年获得国家“高新技术企业”认证,启动军民融合项目,逐步建设可靠性功率半导体实验室和研究中心,逐步形成国内国际有影响力的公司。 目前拥有1280平米研发办公场地。 2015年完成首批产品的研发和市场推广,公司成立首年便实现销售近50万元;2016年产品快速上量并实现系列化,实现销售收入3133万元,2017年逐步建立品牌和市场影响力,实现销售收入8110万元,利税突破1400万元,拥有品牌客户60多家,其中上市企业10多家。2018年强化品牌建设,抢占市场份额,预计实现销售1.3亿元,到2020年实现年销售超3亿元。


项目简介:

    本项目主要针对绿色电源管理用功率MOS、IGBT及SiC器件展开研究,产品达到工业及军工要求,各项技术指标均达到国内领先水平;智能功率器件(SmartMOS)是在上述功率器件的机构中集成FRD快恢复器件,ESD保护器件,高压启动电路,电路检查和保护电路等,实现产品量产;在智能功率集成芯片方面,开发高稳定、高集成的高压半桥驱动芯片,以及功率控制领域的智能控制和电源管理芯片产品,同规格可与英飞凌产品媲美。通过多功能高压器件结构集成技术,解决传统电源管理芯片实现6级能效标准的问题;解决第三代SiC器件工艺实现技术。